| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 40V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 115mV @ 200mA, 2A |
| Tipo transistor: | NPN, PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 653mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | NSS40302PDR2G-ND NSS40302PDR2GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 2 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 100MHz |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 180 @ 1A, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 3A |
| Email: | [email protected] |
