| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 35ns |
| Tensione di alimentazione -: | 3 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 44-TSOP II |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 4Mb (256K x 16) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | RAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | MRAM (Magnetoresistive RAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 35ns 44-TSOP II |
| Numero di parte base: | MR2A16A |
| Tempo di accesso: | 35ns |
| Email: | [email protected] |
