| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 35ns |
| Suministro de voltaje: | 3 V ~ 3.6 V |
| Tecnología: | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Paquete del dispositivo: | 44-TSOP II |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 4Mb (256K x 16) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | RAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | MRAM (Magnetoresistive RAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 35ns 44-TSOP II |
| Número de pieza base: | MR2A16A |
| Tiempo de acceso: | 35ns |
| Email: | [email protected] |
