MMFT960T1
MMFT960T1
Modello di prodotti:
MMFT960T1
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità:
53802 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
MMFT960T1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-223
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1.7 Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):800mW (Ta)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi:MMFT960T1OSDKR
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:65pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:3.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 300mA (Tc) 800mW (Ta) Surface Mount SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:300mA (Tc)
Email:[email protected]

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