MMFT5P03HDT1
MMFT5P03HDT1
Modello di prodotti:
MMFT5P03HDT1
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità:
56619 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
MMFT5P03HDT1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-223
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:100 mOhm @ 5.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.56W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi:MMFT5P03HDT1OS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:950pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:P-Channel 30V 3.7A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.7A (Ta)
Email:[email protected]

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