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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > IS42RM32800E-75BLI-TR
IS42RM32800E-75BLI-TR
IS42RM32800E-75BLI-TR
Modello di prodotti:
IS42RM32800E-75BLI-TR
fabbricante:
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Descrizione:
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
83420 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IS42RM32800E-75BLI-TR.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:-
Tensione di alimentazione -:2.3 V ~ 3 V
Tecnologia:SDRAM - Mobile
Contenitore dispositivo fornitore:90-TFBGA (8x13)
Serie:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:90-TFBGA
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SDRAM - Mobile Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 133MHz 6ns 90-TFBGA (8x13)
Frequenza dell'orologio:133MHz
Tempo di accesso:6ns
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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IS42S16100C1-5TL Image IS42S16100C1-5TL ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Inchiesta
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