| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | - |
| Tensione di alimentazione -: | 2.3 V ~ 2.7 V |
| Tecnologia: | SDRAM - Mobile |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 90-TFBGA (8x13) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 90-TFBGA |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 256Mb (8M x 32) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | SDRAM - Mobile Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 133MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13) |
| Frequenza dell'orologio: | 133MHz |
| Tempo di accesso: | 5.4ns |
| Email: | [email protected] |
