| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 440µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO-220-3 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 299 mOhm @ 6.6A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 96W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | IPP60R299CP IPP60R299CPAKSA1 IPP60R299CPIN IPP60R299CPIN-ND IPP60R299CPX IPP60R299CPXK IPP60R299CPXTIN IPP60R299CPXTIN-ND SP000084280 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 650V 11A (Tc) 96W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
