IPP60R299CPXKSA1
IPP60R299CPXKSA1
Modèle de produit:
IPP60R299CPXKSA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
82217 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IPP60R299CPXKSA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 440µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO-220-3
Séries:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:299 mOhm @ 6.6A, 10V
Dissipation de puissance (max):96W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:IPP60R299CP
IPP60R299CPAKSA1
IPP60R299CPIN
IPP60R299CPIN-ND
IPP60R299CPX
IPP60R299CPXK
IPP60R299CPXTIN
IPP60R299CPXTIN-ND
SP000084280
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):650V
Description détaillée:N-Channel 650V 11A (Tc) 96W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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