FDD107AN06LA0
Modello di prodotti:
FDD107AN06LA0
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
94998 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDD107AN06LA0.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252AA
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:91 mOhm @ 10.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max):25W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:360pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:5.5nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 3.4A (Ta), 10.9A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.4A (Ta), 10.9A (Tc)
Email:[email protected]

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