DTB123YCHZGT116
DTB123YCHZGT116
Modello di prodotti:
DTB123YCHZGT116
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
28387 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.DTB123YCHZGT116.pdf2.DTB123YCHZGT116.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased + Diode
Contenitore dispositivo fornitore:SST3
Serie:Automotive, AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):2.2 kOhms
Potenza - Max:200mW
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:DTB123YCHZGT116DKR
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:7 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:200MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:56 @ 50mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):-
Corrente - collettore (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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