DTB114GKT146
DTB114GKT146
Modello di prodotti:
DTB114GKT146
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
67040 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.DTB114GKT146.pdf2.DTB114GKT146.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SMT3
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):10 kOhms
Potenza - Max:200mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:DTB114GKT146-ND
DTB114GKT146TR
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:200MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SMT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:56 @ 50mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):500mA
Numero di parte base:DTB114
Email:[email protected]

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