| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerDI5060-8 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 17 mOhm @ 12A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.1W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Produttore tempi di consegna standard: | 20 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1949pF @ 40V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 34nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 80V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 80V 53.7A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 53.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
