DMTH6009LK3Q-13
DMTH6009LK3Q-13
Modello di prodotti:
DMTH6009LK3Q-13
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene piombo / RoHS conforme
Quantità:
42740 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
DMTH6009LK3Q-13.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:10 mOhm @ 13.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.2W (Ta), 60W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:DMTH6009LK3Q-13DITR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1925pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:33.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 14.2A (Ta), 59A (Tc) 3.2W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:14.2A (Ta), 59A (Tc)
Email:[email protected]

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