CSD87335Q3D
Modello di prodotti:
CSD87335Q3D
fabbricante:
TI
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
92144 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
CSD87335Q3D.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - Prova:1050pF @ 15V
Tensione - Ripartizione:8-LSON (3.3x3.3)
Vgs (th) (max) a Id:-
Serie:NexFET™
Stato RoHS:Digi-Reel®
Rds On (max) a Id, Vgs:-
Potenza - Max:6W
Polarizzazione:8-PowerLDFN
Altri nomi:296-43949-6
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
codice articolo del costruttore:CSD87335Q3D
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7.4nC @ 4.5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:1.9V @ 250µA
Caratteristica FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)
Tensione drain-source (Vdss):Standard
Descrizione:MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:30V
Email:[email protected]

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