CSD87333Q3D
Modello di prodotti:
CSD87333Q3D
fabbricante:
TI
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene piombo / RoHS conforme
Quantità:
77545 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
CSD87333Q3D.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-VSON (3.3x3.3)
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:14.3 mOhm @ 4A, 8V
Potenza - Max:6W
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:296-37535-1
temperatura di esercizio:125°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:35 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:662pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:4.6nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET:Logic Level Gate, 5V Drive
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15A 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:15A
Numero di parte base:CSD87333
Email:[email protected]

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