CJ3139KDW-G
CJ3139KDW-G
Modello di prodotti:
CJ3139KDW-G
fabbricante:
Comchip Technology
Descrizione:
MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
70629 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
CJ3139KDW-G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1.1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-363
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:520 mOhm @ 1A, 4.5V
Potenza - Max:150mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi:641-1793-1
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:170pF @ 16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 660mA (Ta) 150mW Surface Mount SOT-363
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:660mA (Ta)
Email:[email protected]

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