| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-PDIP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 190 Ohm @ 10mA, 10V |
| Potenza - Max: | 1.3W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| temperatura di esercizio: | -20°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 3 N-Channel, Common Gate |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 1.3W Through Hole 8-PDIP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 80mA |
| Email: | [email protected] |
