| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 8 Ohm @ 100mA, 2.8V |
| Dissipazione di potenza (max): | 350mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Box (TB) |
| Contenitore / involucro: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Altri nomi: | BS108ZL1GOS BS108ZL1GOS-ND BS108ZL1GOSTB |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 25V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2V, 2.8V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 250mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
