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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APT34F100L
APT34F100L
APT34F100L
Modello di prodotti:
APT34F100L
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 35A TO264
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
61849 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
APT34F100L.pdf
Inchiesta

introduzione

APT34F100L miglior prezzo e consegna veloce.
BOSER Technology è il distributore di APT34F100L, disponiamo delle scorte per la spedizione immediata e disponibili anche per la fornitura a lungo termine. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per APT34F100L via e-mail, vi forniremo il miglior prezzo in base al vostro piano.
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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-264 [L]
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:400 mOhm @ 18A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1135W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-264-3, TO-264AA
Altri nomi:APT34F100LMI
APT34F100LMI-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:21 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:9835pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:305nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):1000V
Descrizione dettagliata:N-Channel 1000V 35A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

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