APT33GF120B2RDQ2G
APT33GF120B2RDQ2G
Modello di prodotti:
APT33GF120B2RDQ2G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
94399 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.APT33GF120B2RDQ2G.pdf2.APT33GF120B2RDQ2G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:3V @ 15V, 25A
Condizione di test:800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:14ns/185ns
di scambio energetico:1.315µJ (on), 1.515µJ (off)
Serie:-
Potenza - Max:357W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3 Variant
Altri nomi:APT33GF120B2RDQ2GMI
APT33GF120B2RDQ2GMI-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:NPT
carica gate:170nC
Descrizione dettagliata:IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole
Corrente - collettore Pulsed (Icm):75A
Corrente - collettore (Ic) (max):64A
Email:[email protected]

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