TK9J90E,S1E
TK9J90E,S1E
Nomor bagian:
TK9J90E,S1E
Pabrikan:
Toshiba Semiconductor and Storage
Deskripsi:
MOSFET N-CH 900V TO-3PN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Kuantitas:
94061 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lembaran data:
TK9J90E,S1E.pdf

pengantar

TK9J90E,S1E harga terbaik dan pengiriman cepat.
BOSER Technology adalah distributor untuk TK9J90E,S1E, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan lama. Silakan kirim rencana pembelian Anda untuk TK9J90E,S1E melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New and Original
Asal Contact us
Distributor Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 900µA
Vgs (Max):±30V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:TO-3P(N)
Seri:-
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Power Disipasi (Max):250W (Tc)
Pengemasan:Tube
Paket / Case:TO-3P-3, SC-65-3
Nama lain:TK9J90E,S1E(S
TK9J90ES1E
Suhu Operasional:150°C (TJ)
mount Jenis:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:2000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:46nC @ 10V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):900V
Detil Deskripsi:N-Channel 900V 9A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar