TH58NYG3S0HBAI6
TH58NYG3S0HBAI6
Nomor bagian:
TH58NYG3S0HBAI6
Pabrikan:
Toshiba Memory America, Inc.
Deskripsi:
IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Kuantitas:
70517 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lembaran data:
TH58NYG3S0HBAI6.pdf

pengantar

TH58NYG3S0HBAI6 harga terbaik dan pengiriman cepat.
BOSER Technology adalah distributor untuk TH58NYG3S0HBAI6, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan lama. Silakan kirim rencana pembelian Anda untuk TH58NYG3S0HBAI6 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New and Original
Asal Contact us
Distributor Boser Technology
Tulis Siklus Waktu - Kata, Halaman:25ns
Tegangan - Pasokan:1.7 V ~ 1.95 V
Teknologi:FLASH - NAND (SLC)
Paket Perangkat pemasok:67-VFBGA (6.5x8)
Seri:-
Pengemasan:Tray
Paket / Case:67-VFBGA
Nama lain:TH58NYG3S0HBAI6JDH
Suhu Operasional:-40°C ~ 85°C (TA)
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
memory Type:Non-Volatile
Ukuran memori:8Gb (1G x 8)
Antarmuka Memori:Parallel
Format Memori:FLASH
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Detil Deskripsi:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
Waktu akses:25ns
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar