SQS401ENW-T1_GE3
SQS401ENW-T1_GE3
Nomor bagian:
SQS401ENW-T1_GE3
Pabrikan:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deskripsi:
MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212
Kuantitas:
47547 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lembaran data:
SQS401ENW-T1_GE3.pdf

pengantar

SQS401ENW-T1_GE3 harga terbaik dan pengiriman cepat.
BOSER Technology adalah distributor untuk SQS401ENW-T1_GE3, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan lama. Silakan kirim rencana pembelian Anda untuk SQS401ENW-T1_GE3 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New and Original
Asal Contact us
Distributor Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:PowerPAK® 1212-8
Seri:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:29 mOhm @ 12A, 10V
Power Disipasi (Max):62.5W (Tc)
Pengemasan:Tape & Reel (TR)
Paket / Case:PowerPAK® 1212-8
Suhu Operasional:-55°C ~ 175°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:1875pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:21.2nC @ 4.5V
FET Jenis:P-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):4.5V, 10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):40V
Detil Deskripsi:P-Channel 40V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar