SIRA18ADP-T1-GE3
SIRA18ADP-T1-GE3
Nomor bagian:
SIRA18ADP-T1-GE3
Pabrikan:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deskripsi:
MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO
Kuantitas:
42424 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lembaran data:
SIRA18ADP-T1-GE3.pdf

pengantar

SIRA18ADP-T1-GE3 harga terbaik dan pengiriman cepat.
BOSER Technology adalah distributor untuk SIRA18ADP-T1-GE3, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan lama. Silakan kirim rencana pembelian Anda untuk SIRA18ADP-T1-GE3 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New and Original
Asal Contact us
Distributor Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
Vgs (Max):+20V, -16V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:PowerPAK® SO-8
Seri:-
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:8.7 mOhm @ 10A, 10V
Power Disipasi (Max):14.7W (Tc)
Pengemasan:Cut Tape (CT)
Paket / Case:PowerPAK® SO-8
Nama lain:SIRA18ADP-T1-GE3CT
Suhu Operasional:-55°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Manufacturer Standard Lead Time:32 Weeks
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:1000pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:21.5nC @ 10V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):4.5V, 10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):30V
Detil Deskripsi:N-Channel 30V 30.6A (Tc) 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:30.6A (Tc)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar