RN1901FETE85LF
RN1901FETE85LF
Nomor bagian:
RN1901FETE85LF
Pabrikan:
Toshiba Semiconductor and Storage
Deskripsi:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Kuantitas:
47113 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lembaran data:
RN1901FETE85LF.pdf

pengantar

RN1901FETE85LF harga terbaik dan pengiriman cepat.
BOSER Technology adalah distributor untuk RN1901FETE85LF, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan lama. Silakan kirim rencana pembelian Anda untuk RN1901FETE85LF melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New and Original
Asal Contact us
Distributor Boser Technology
Tegangan - Kolektor Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
transistor Jenis:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Paket Perangkat pemasok:ES6
Seri:-
Resistor - Emitter Base (R2):4.7 kOhms
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Listrik - Max:100mW
Pengemasan:Cut Tape (CT)
Paket / Case:SOT-563, SOT-666
Nama lain:RN1901FETE85LFCT
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frekuensi - Transisi:250MHz
Detil Deskripsi:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:30 @ 10mA, 5V
Saat ini - Kolektor cutoff (Max):100nA (ICBO)
Saat ini - Kolektor (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar