Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Sirkuit Terpadu (IC) > Ingatan > MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR
Nomor bagian:
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR
Pabrikan:
Micron Technology
Deskripsi:
IC DRAM 32G 2133MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Kuantitas:
68495 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lembaran data:
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR.pdf
Penyelidikan

pengantar

MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR harga terbaik dan pengiriman cepat.
BOSER Technology adalah distributor untuk MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan lama. Silakan kirim rencana pembelian Anda untuk MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New and Original
Asal Contact us
Distributor Boser Technology
Tulis Siklus Waktu - Kata, Halaman:-
Tegangan - Pasokan:1.1V
Teknologi:SDRAM - Mobile LPDDR4
Seri:-
Pengemasan:Tape & Reel (TR)
Nama lain:MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR-ND
MT53D512M64D4RQ-046WT:ETR
Suhu Operasional:-30°C ~ 85°C (TC)
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
memory Type:Volatile
Ukuran memori:32Gb (512M x 64)
Antarmuka Memori:-
Format Memori:DRAM
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Detil Deskripsi:SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 2133MHz
Frekuensi Jam:2133MHz
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ Penyelidikan
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ Penyelidikan
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Penyelidikan
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ Penyelidikan
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Penyelidikan
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA Penyelidikan
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Penyelidikan
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ Penyelidikan
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ Penyelidikan
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ Penyelidikan
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA Penyelidikan
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Penyelidikan
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Penyelidikan
MT53D512M64D4SB-046 XT:D Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ Penyelidikan
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA Penyelidikan
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA Penyelidikan
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA Penyelidikan
MT53D512M64D4SB-046 XT:E Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ Penyelidikan
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ Penyelidikan
MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ Penyelidikan

Latest Berita