Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Sirkuit Terpadu (IC) > Ingatan > MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
Nomor bagian:
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
Pabrikan:
Micron Technology
Deskripsi:
IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Kuantitas:
53188 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lembaran data:
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR.pdf
Penyelidikan

pengantar

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR harga terbaik dan pengiriman cepat.
BOSER Technology adalah distributor untuk MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan lama. Silakan kirim rencana pembelian Anda untuk MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New and Original
Asal Contact us
Distributor Boser Technology
Tulis Siklus Waktu - Kata, Halaman:-
Tegangan - Pasokan:1.8V
Teknologi:FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Seri:-
Pengemasan:Tape & Reel (TR)
Nama lain:MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR-ND
MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80ETR
Suhu Operasional:-25°C ~ 85°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
memory Type:Non-Volatile
Ukuran memori:4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
Antarmuka Memori:Parallel
Format Memori:FLASH, RAM
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Detil Deskripsi:FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Memory IC 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) Parallel 533MHz
Frekuensi Jam:533MHz
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U Micron Technology IC FLASH 8G DDR Penyelidikan
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F Micron Technology IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ Penyelidikan
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Micron Technology IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Penyelidikan
MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 Micron Technology IC FLASH 1.5G DDR Penyelidikan
MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U TR Micron Technology IC FLASH 8G DDR Penyelidikan
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR Micron Technology IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ Penyelidikan
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR Micron Technology IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ Penyelidikan
MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 TR Micron Technology IC FLASH 1.5G DDR Penyelidikan
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR Micron Technology IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ Penyelidikan
MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR Micron Technology MASSFLASH/LPDDR2 6G Penyelidikan
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F Micron Technology IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Penyelidikan
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR Micron Technology IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Penyelidikan
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F Micron Technology IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ Penyelidikan
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F Micron Technology IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Penyelidikan
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F Micron Technology IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Penyelidikan
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G Micron Technology IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ Penyelidikan
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR Micron Technology IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Penyelidikan
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR Micron Technology IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Penyelidikan
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR Micron Technology IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ Penyelidikan
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C Micron Technology IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Penyelidikan

Latest Berita