FDN357N
Nomor bagian:
FDN357N
Pabrikan:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Deskripsi:
MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Kuantitas:
63671 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lembaran data:
1.FDN357N.pdf2.FDN357N.pdf

pengantar

FDN357N harga terbaik dan pengiriman cepat.
BOSER Technology adalah distributor untuk FDN357N, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan lama. Silakan kirim rencana pembelian Anda untuk FDN357N melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New and Original
Asal Contact us
Distributor Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:SuperSOT-3
Seri:-
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:60 mOhm @ 2.2A, 10V
Power Disipasi (Max):500mW (Ta)
Pengemasan:Tape & Reel (TR)
Paket / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nama lain:FDN357NTR
Suhu Operasional:-55°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Manufacturer Standard Lead Time:42 Weeks
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:235pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:5.9nC @ 5V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):4.5V, 10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):30V
Detil Deskripsi:N-Channel 30V 1.9A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:1.9A (Ta)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar