FCD360N65S3R0
FCD360N65S3R0
Nomor bagian:
FCD360N65S3R0
Pabrikan:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Deskripsi:
SUPERFET3 650V DPAK
Kuantitas:
43664 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lembaran data:
FCD360N65S3R0.pdf

pengantar

FCD360N65S3R0 harga terbaik dan pengiriman cepat.
BOSER Technology adalah distributor untuk FCD360N65S3R0, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan lama. Silakan kirim rencana pembelian Anda untuk FCD360N65S3R0 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New and Original
Asal Contact us
Distributor Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:D-PAK (TO-252)
Seri:SuperFET® III
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:360 mOhm @ 5A, 10V
Power Disipasi (Max):83W (Tc)
Pengemasan:Tape & Reel (TR)
Paket / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Nama lain:FCD360N65S3R0-ND
FCD360N65S3R0OSTR
Suhu Operasional:-55°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Memimpin Status Gratis:Lead free
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:730pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):650V
Detil Deskripsi:N-Channel 650V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar