Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Array > EPC2104ENG
EPC2104ENG
EPC2104ENG
Nomor bagian:
EPC2104ENG
Pabrikan:
EPC
Deskripsi:
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Kuantitas:
88199 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lembaran data:
EPC2104ENG.pdf
Penyelidikan

pengantar

EPC2104ENG harga terbaik dan pengiriman cepat.
BOSER Technology adalah distributor untuk EPC2104ENG, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan lama. Silakan kirim rencana pembelian Anda untuk EPC2104ENG melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New and Original
Asal Contact us
Distributor Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 5.5mA
Paket Perangkat pemasok:Die
Seri:eGaN®
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:6.3 mOhm @ 20A, 5V
Listrik - Max:-
Pengemasan:Tray
Paket / Case:Die
Nama lain:917-EPC2104ENG
EPC2104ENGRH4
Suhu Operasional:-40°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:800pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:7nC @ 5V
FET Jenis:2 N-Channel (Half Bridge)
Fitur FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):100V
Detil Deskripsi:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 23A Surface Mount Die
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:23A
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk EPC2104ENG

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
EPC2105ENGRT Image EPC2105ENGRT EPC MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE Penyelidikan
EPC2105ENG Image EPC2105ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2104ENGRT Image EPC2104ENGRT EPC MOSFET 2NCH 100V 23A DIE Penyelidikan
EPC2103ENGRT Image EPC2103ENGRT EPC TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V Penyelidikan
EPC2101ENGRT Image EPC2101ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Penyelidikan
EPC2108ENGRT Image EPC2108ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2102 Image EPC2102 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Penyelidikan
EPC2104 Image EPC2104 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Penyelidikan
EPC2106 Image EPC2106 EPC TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2108 Image EPC2108 EPC MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA Penyelidikan
EPC2102ENGRT Image EPC2102ENGRT EPC MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE Penyelidikan
EPC2103ENG Image EPC2103ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2107 Image EPC2107 EPC MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA Penyelidikan
EPC2106ENGRT Image EPC2106ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2101ENG Image EPC2101ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2105 Image EPC2105 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Penyelidikan
EPC2103 Image EPC2103 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Penyelidikan
EPC2101 Image EPC2101 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Penyelidikan
EPC2102ENG Image EPC2102ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2107ENGRT Image EPC2107ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE Penyelidikan

Latest Berita