S25J
Modèle de produit:
S25J
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
La description:
DIODE GEN PURP 600V 25A DO203AA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
35712 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.S25J.pdf2.S25J.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Inverse de crête (max):Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:25A
Tension - Ventilation:-
Séries:-
État RoHS:Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr):Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F:-
Polarisation:DO-203AA, DO-4, Stud
Autres noms:S25JGN
Type de montage:Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Référence fabricant:S25J
Description élargie:Diode Standard 600V 25A Chassis, Stud Mount
Configuration diode:10µA @ 50V
La description:DIODE GEN PURP 600V 25A DO203AA
Courant - fuite, inverse à Vr:1.1V @ 25A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):600V
Capacité à Vr, F:-65°C ~ 175°C
Email:[email protected]

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