NP52N06SLG-E1-AY
Modèle de produit:
NP52N06SLG-E1-AY
Fabricant:
Renesas Electronics America
La description:
MOSFET N-CH 60V 52A TO252
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
63666 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NP52N06SLG-E1-AY.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Test:2100pF @ 10V
Tension - Ventilation:TO-252 (MP-3ZK)
Vgs (th) (Max) @ Id:17.5 mOhm @ 26A, 10V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Séries:-
État RoHS:Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:52A (Tc)
Polarisation:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:NP52N06SLG-E1-AY-ND
NP52N06SLG-E1-AYTR
Température de fonctionnement:175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Référence fabricant:NP52N06SLG-E1-AY
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:39nC @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:-
Fonction FET:N-Channel
Description élargie:N-Channel 60V 52A (Tc) 1.2W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
Tension drain-source (Vdss):-
La description:MOSFET N-CH 60V 52A TO252
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:60V
Ratio de capacité:1.2W (Ta), 56W (Tc)
Email:[email protected]

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