DLE30E
DLE30E
Modèle de produit:
DLE30E
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
63178 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
DLE30E.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Inverse de crête (max):Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:3A
Tension - Ventilation:Axial
Séries:-
État RoHS:Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr):Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F:-
Polarisation:DO-201AD, Axial
Température d'utilisation - Jonction:30ns
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:DLE30E
Description élargie:Diode Standard 400V 3A Through Hole Axial
Configuration diode:20µA @ 400V
La description:DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
Courant - fuite, inverse à Vr:1.25V @ 1A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):400V
Capacité à Vr, F:150°C (Max)
Email:[email protected]

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