SIRA52DP-T1-RE3
Osa numero:
SIRA52DP-T1-RE3
Valmistaja:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
Määrä:
74748 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
SIRA52DP-T1-RE3.pdf

esittely

SIRA52DP-T1-RE3 paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on SIRA52DP-T1-RE3: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille SIRA52DP-T1-RE3: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
Vgs (Max):+20V, -16V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PowerPAK® SO-8
Sarja:TrenchFET® Gen IV
RDS (Max) @ Id, Vgs:1.7 mOhm @ 15A, 10V
Tehonkulutus (Max):48W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:PowerPAK® SO-8
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:7150pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:150nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):40V
Yksityiskohtainen kuvaus:N-Channel 40V 60A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit