| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | +20V, -16V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PowerPAK® SO-8 |
| Sarja: | TrenchFET® Gen IV |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.04 mOhm @ 20A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 6.25W (Ta), 100W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | PowerPAK® SO-8 |
| Muut nimet: | SIRA50ADP-T1-RE3TR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 7300pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 150nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 40V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 40V 54.8A (Ta), 219A (Tc) 6.25W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 54.8A (Ta), 219A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
