| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
| teknologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Toimittaja Device Package: | D3 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 175 mOhm @ 10A, 20V |
| Tehonkulutus (Max): | 175W (Tc) |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | D-3 Module |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Chassis Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 72nC @ 20V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 1200V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 1200V 25A (Tc) 175W (Tc) Chassis Mount D3 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 25A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
