Tarjeta de línea

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") fundada en 2007 es una compañía de desarrollo y fabricación integrada dedicada a productos basados en tecnologías de carburo de silicio (SiC). Estos productos serán fundamentales para las industrias de electrónica de potencia y energía en los próximos años, donde se necesitan tecnologías avanzadas para la generación, conversión y transmisión de energía altamente eficiente y de bajo costo.

Número de pieza	Descripción	Ver
GSXD100A010S1-D3	DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227	Investigación
GAP05SLT80-220	DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL	Investigación
GP1M005A050H	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220	Investigación
1N2130A	DIODE GEN PURP 150V 60A DO5	Investigación
FST12035	DIODE MODULE 35V 120A TO249AB	Investigación
S12M	DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4	Investigación
FR6A05	DIODE GEN PURP 50V 16A DO4	Investigación
GP1M013A050FH	MOSFET N-CH 500V 13A TO220F	Investigación
GPI040A060MN-FD	IGBT 600V 80A 231W TO3PN	Investigación
S12K	DIODE GEN PURP 800V 12A DO4	Investigación
FR6AR02	DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4	Investigación
GPA030A120I-FD	IGBT 1200V 60A 329W TO247	Investigación
GP2M004A060PG	MOSFET N-CH 600V 4A IPAK	Investigación
GSXD120A010S1-D3	DIODE SCHOTTKY 100V 120A SOT227	Investigación
GSXD050A015S1-D3	DIODE SCHOTTKY 150V 50A SOT227	Investigación
1N3890R	DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4	Investigación
FST120100	DIODE MODULE 100V 120A TO249AB	Investigación
GP1M005A050HS	MOSFET N-CH 500V 4A TO220	Investigación
GP3D060A120B	DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247	Investigación
GHXS030A060S-D1E	MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227	Investigación
1N2128AR	DIODE GEN PURP REV 50V 60A DO5	Investigación
GP1M008A025PG	MOSFET N-CH 250V 8A IPAK	Investigación
S25KR	DIODE GEN REV 800V 25A DO203AA	Investigación
1N2135A	DIODE GEN PURP 400V 60A DO5	Investigación
GHXS015A120S-D4	DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227	Investigación
S25BR	DIODE GEN REV 100V 25A DO203AA	Investigación
GP2M020A050F	MOSFET N-CH 500V 18A TO220F	Investigación
MBRT400150	DIODE SCHOTTKY 150V 200A 3 TOWER	Investigación
GP2M005A060PG	MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK	Investigación
GHIS080A120S1-E1	SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S	Investigación
1N8033-GA	DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276	Investigación
1N1204AR	DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4	Investigación
S16GR	DIODE GEN REV 400V 16A DO203AA	Investigación
GSID100A120T2C1A	SILICON IGBT MODULES	Investigación
FR16DR02	DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4	Investigación
GSXD080A018S1-D3	DIODE SCHOTTKY 180V 80A SOT227	Investigación
GHIS060A120S-A2	IGBT BUCK CHOP 1200V 120A SOT227	Investigación
GHXS030A060S-D4	DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227	Investigación
1N3208	DIODE GEN PURP 50V 15A DO5	Investigación
GP1M020A060N	MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN	Investigación
FST12030	DIODE MODULE 30V 120A TO249AB	Investigación
GP1M023A050N	MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN	Investigación
GHIS040A120S-A2	IGBT BUCK CHOP 1200V 80A SOT227	Investigación
FST16020	DIODE MODULE 20V 160A TO249AB	Investigación
GHIS040A060S-A1	IGBT BOOST CHOP 600V 80A SOT227	Investigación
GP2D005A170B	DIODE SCHOTTKY 1700V 5A TO247-2	Investigación
FR16G02	DIODE GEN PURP 400V 16A DO4	Investigación
GP1M003A050PG	MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK	Investigación
GSID600A120S4B1	SILICON IGBT MODULES	Investigación
GSID150A120S5C1	IGBT MODULE 1200V 285A	Investigación

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