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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > UNR412100A
UNR412100A
UNR412100A
Número de pieza:
UNR412100A
Fabricante:
Panasonic
Descripción:
TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
33174 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
UNR412100A.pdf
Investigación

Introducción

UNR412100A mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de UNR412100A, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para UNR412100A por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 5mA, 100mA
Tipo de transistor:PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:NS-B1
Serie:-
Resistor - Base del emisor (R2):2.2 kOhms
Resistor - Base (R1):2.2 kOhms
Potencia - Max:300mW
embalaje:Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta:3-SSIP
Otros nombres:UNR412100ATB
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:200MHz
Descripción detallada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole NS-B1
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:40 @ 100mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max):1µA
Corriente - colector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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