| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Tipo de transistor: | PNP - Pre-Biased |
| Paquete del dispositivo: | NS-B1 |
| Serie: | - |
| Resistor - Base del emisor (R2): | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 47 kOhms |
| Potencia - Max: | 300mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | NS-B1 |
| Otros nombres: | UN4113-(TA) UNR411300ATB |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frecuencia - Transición: | 80MHz |
| Descripción detallada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 300mW Through Hole NS-B1 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 500nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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