SQS944ENW-T1_GE3
Número de pieza:
SQS944ENW-T1_GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET N-CHAN 40V
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
55415 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
SQS944ENW-T1_GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:PowerPAK® 1212-8W
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:25 mOhm @ 1.25A, 10V
Potencia - Max:27.8W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:PowerPAK® 1212-8W
Otros nombres:SQS944ENW-T1_GE3DKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:615pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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