SQS460ENW-T1_GE3
SQS460ENW-T1_GE3
Número de pieza:
SQS460ENW-T1_GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET N-CH 60V AEC-Q101 1212-8W
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
52164 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
SQS460ENW-T1_GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerPAK® 1212-8W
Serie:*
RDS (Max) @Id, Vgs:36 mOhm @ 5.3A, 10V
La disipación de energía (máximo):39W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® 1212-8W
Otros nombres:SQS460ENW-T1_GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:755pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:N-Channel 60V 8A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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