| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 900mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-236AB (SOT23) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 490mW (Ta), 4.63W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | 1727-2309-2 568-12595-2 568-12595-2-ND 934068894215 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 20 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 744pF @ 20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 12nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción detallada: | P-Channel 20V 3.6A (Ta) 490mW (Ta), 4.63W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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PMV50UPE,215 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB | Investigación |
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PMV6-4FB-2K | Panduit | CONN SPADE TERM 10-12AWG M4 YEL | Investigación |
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PMV6-3R-X | Panduit | CONN RING CIRC 10-12AWG M3 CRIMP | Investigación |
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PMV6-3RB-2K | Panduit | CONN RING CIRC 10-12AWG M3 CRIMP | Investigación |
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PMV6-4R-X | Panduit | CONN RING CIRC 10-12AWG M4 CRIMP | Investigación |
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PMV45EN2VL | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB | Investigación |
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PMV6-3R-L | Panduit | CONN RING CIRC 10-12AWG M3 CRIMP | Investigación |
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PMV48XPAR | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 | Investigación |
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PMV55ENEAR | Nexperia | MOSFET N-CH 60V TO-236AB | Investigación |
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PMV48XP/MIR | Nexperia | MOSFET P-CH 20V SOT23 | Investigación |
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PMV50EPEAR | Nexperia | MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB | Investigación |
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PMV6-35RB-2K | Panduit | CONN RING CIRC 10-12AWG M3.5 | Investigación |
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PMV6-4F-L | Panduit | CONN SPADE TERM 10-12AWG M4 YEL | Investigación |
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PMV48XPVL | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB | Investigación |
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PMV6-4R-L | Panduit | CONN RING CIRC 10-12AWG M4 CRIMP | Investigación |
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PMV50ENEAR | Nexperia | MOSFET N-CH 30V TO-236AB | Investigación |
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PMV56XN,215 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23 | Investigación |
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PMV48XP,215 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 | Investigación |
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PMV50UPEVL | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB | Investigación |
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PMV45EN2R | Nexperia | MOSFET N-CH 30V SOT23 | Investigación |