PMV50EPEAR
PMV50EPEAR
Número de pieza:
PMV50EPEAR
Fabricante:
Nexperia
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
60743 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
PMV50EPEAR.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-236AB
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:45 mOhm @ 4.2A, 10V
La disipación de energía (máximo):310mW (Ta), 455mW (Tc)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:1727-2727-1
568-13291-1
568-13291-1-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:793pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:19.2nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:P-Channel 30V 4.2A (Ta) 310mW (Ta), 455mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.2A (Ta)
Email:[email protected]

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