IPA093N06N3GXKSA1
IPA093N06N3GXKSA1
Número de pieza:
IPA093N06N3GXKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
56210 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
IPA093N06N3GXKSA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 34µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO220-3-31 Full Pack
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:9.3 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo):33W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Otros nombres:IPA093N06N3 G
IPA093N06N3 G-ND
IPA093N06N3G
SP000451088
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3900pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:48nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:N-Channel 60V 43A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31 Full Pack
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:43A (Tc)
Email:[email protected]

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