| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Voltaje - Prueba: | 4640pF @ 25V |
| Tensión - Desglose: | TO-3PN |
| VGS (th) (Max) @Id: | 41 mOhm @ 34.5A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | UniFET™ |
| Estado RoHS: | Tube |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 69A (Tc) |
| Polarización: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | FDA69N25 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 100nC @ 10V |
| Tipo de IGBT: | ±30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 5V @ 250µA |
| Característica de FET: | N-Channel |
| Descripción ampliada: | N-Channel 250V 69A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | - |
| Descripción: | MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 250V |
| relación de capacidades: | 480W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
