EMD29T2R
EMD29T2R
Número de pieza:
EMD29T2R
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
56356 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.EMD29T2R.pdf2.EMD29T2R.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - Colector-emisor (máx):50V, 12V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Tipo de transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:EMT6
Serie:-
Resistor - Base del emisor (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):1 kOhms, 10 kOhms
Potencia - Max:120mW
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:SOT-563, SOT-666
Otros nombres:EMD29T2RDKR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:250MHz, 260MHz
Descripción detallada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 120mW Surface Mount EMT6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA, 500mA
Número de pieza base:*MD29
Email:[email protected]

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