| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 12ns |
| Suministro de voltaje: | 2.4 V ~ 2.6 V |
| Tecnología: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Paquete del dispositivo: | 256-CABGA (17x17) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 256-LBGA |
| Otros nombres: | IDT70T651S12BCI IDT70T651S12BCI-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 4 (72 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 9Mb (256K x 36) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | SRAM |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descripción detallada: | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 12ns 256-CABGA (17x17) |
| Número de pieza base: | IDT70T651 |
| Tiempo de acceso: | 12ns |
| Email: | [email protected] |
