SI4946CDY-T1-GE3
Varenummer:
SI4946CDY-T1-GE3
Fabrikant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beskrivelse:
MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Blyfri / RoHS-kompatibel
Antal:
84431 Pieces
Leveringstid:
1-2 days
Datablad:
SI4946CDY-T1-GE3.pdf

Introduktion

SI4946CDY-T1-GE3 bedste pris og hurtig levering.
BOSER Technology er distributør for SI4946CDY-T1-GE3, vi har bestande til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan for SI4946CDY-T1-GE3 via e-mail, vi vil give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Vores email: [email protected]

specifikationer

Tilstand New and Original
Oprindelse Contact us
Distributør Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Leverandør Device Package:8-SO
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:40.9 mOhm @ 5.2A, 10V
Strøm - Max:2W (Ta), 2.8W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Pakke / tilfælde:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andre navne:SI4946CDY-T1-GE3CT
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Blyfri Status / RoHS Status:Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
FET Type:2 N-Channel (Dual)
FET-funktion:Standard
Afløb til Source Voltage (VDSS):60V
Detaljeret beskrivelse:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) 2W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:5.2A (Ta), 6.1A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer