Dansk
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Om os | Kontakt os | Anmode om et tilbud |
Hjem > Produkter > Integrerede kredsløb (IC'er) > Hukommelse > MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR
MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR
Varenummer:
MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR
Fabrikant:
Micron Technology
Beskrivelse:
IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Blyfri / RoHS-kompatibel
Antal:
88204 Pieces
Leveringstid:
1-2 days
Datablad:
MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR.pdf
Forespørgsel

Introduktion

MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR bedste pris og hurtig levering.
BOSER Technology er distributør for MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR, vi har bestande til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan for MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR via e-mail, vi vil give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Vores email: [email protected]

specifikationer

Tilstand New and Original
Oprindelse Contact us
Distributør Boser Technology
Skriv cyklus Tid - Ord, Side:14.4ns
Spænding - Supply:1.7 V ~ 1.95 V
Teknologi:SDRAM - Mobile LPDDR
Leverandør Device Package:168-TFBGA (12x12)
Serie:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfælde:168-TFBGA
Andre navne:MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR-ND
MT46H256M32L4SA-48WT:CTR
Driftstemperatur:-25°C ~ 85°C (TA)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Hukommelsestype:Volatile
Hukommelsesstørrelse:8Gb (256M x 32)
Memory Interface:Parallel
Hukommelsesformat:DRAM
Blyfri Status / RoHS Status:Lead free / RoHS Compliant
Detaljeret beskrivelse:SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 8Gb (256M x 32) Parallel 208MHz 5.0ns 168-TFBGA (12x12)
Urfrekvens:208MHz
Adgangstid:5.0ns
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer

Relaterede dele til MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR

Billede Varenummer producenter Beskrivelse Udsigt
MT46H256M32L4SA-48 WT:C Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA Forespørgsel
MT46H256M32L4LE-48 WT:C Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 208MHZ Forespørgsel
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C Image MT46H32M16LFBF-5 AIT:C Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Forespørgsel
MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Forespørgsel
MT46H256M32R4JV-5 IT:B Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Forespørgsel
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR Image MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Forespørgsel
MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR Image MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Forespørgsel
MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Forespørgsel
MT46H32M16LFBF-5 IT:C Image MT46H32M16LFBF-5 IT:C Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Forespørgsel
MT46H256M32L4JV-5 IT:B Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Forespørgsel
MT46H32M16LFBF-5 IT:B Image MT46H32M16LFBF-5 IT:B Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Forespørgsel
MT46H256M32L4LE-48 WT:C TR Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA Forespørgsel
MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Forespørgsel
MT46H256M32L4JV-5 WT:B Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Forespørgsel
MT46H256M32R4JV-5 WT:B Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Forespørgsel
MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Forespørgsel
MT46H256M32L4JV-6 WT:B Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Forespørgsel
MT46H256M32L4JV-6 IT:A Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Forespørgsel
MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Forespørgsel
MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR Image MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Forespørgsel

Laast News